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背照式CCD光譜儀提供穩(wěn)定、快速、分析解決方案
背照式CCD光譜儀采用可編程脈沖全數(shù)字光源、高速CCD全譜采集系統(tǒng)、優(yōu)化設(shè)計(jì)的光路等新技術(shù)，集合光譜自校正、單火花采集技術(shù)和光譜延時(shí)采集技術(shù)，高可靠性激發(fā)臺(tái)設(shè)計(jì)。背照式CCD光譜儀為用戶(hù)提供穩(wěn)定、快速、的金屬材料分析解決方案。運(yùn)營(yíng)成本低，安全可靠。應(yīng)用于冶金、鑄造、金屬加工等行業(yè)的爐前及實(shí)驗(yàn)室定量分析。
背照式CCD光譜儀技術(shù),廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機(jī)械、汽車(chē)制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制，爐前化驗(yàn)，中心實(shí)驗(yàn)室成品檢驗(yàn)。
CCD，是英文ChargeCoupledDevice即電荷耦合器件的縮寫(xiě)，背照式CCD光譜儀是在MOS晶體管電荷存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，突出的特點(diǎn)是以電荷作為信號(hào)，而不是以電流或電壓作為信號(hào)的。在P型或N型硅單晶的襯底上生長(zhǎng)一層厚度約為120~150nm的SiO2層，然后按一定次序沉積m行n列個(gè)金屬電極或多晶硅電極作為柵極，柵極間隙約2.5μm，于是每個(gè)電極與其下方的SiO2和半導(dǎo)體間構(gòu)成了一個(gè)MOS結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)再加上輸入、輸出結(jié)構(gòu)就構(gòu)成了m×n位CCD（m＞1，n≥1）；當(dāng)n=1時(shí)，CCD器件被稱(chēng)為線(xiàn)陣CCD；當(dāng)n＞1時(shí),則為面陣CCD。CCD按受光方式分為前感光和背感光兩種。前感光CCD由于正面布置著很多電極，光經(jīng)電極反射和散射，不僅使得響應(yīng)度大大減低（量子效率通常低于50%），也因?yàn)槎啻畏瓷洚a(chǎn)品的干涉效應(yīng)使光譜響應(yīng)曲線(xiàn)出現(xiàn)馬鞍形的起伏；背感光CCD由于避免了上述問(wèn)題，因而響應(yīng)度大大提高，量子效率可達(dá)到80%以上。